لایه نشانی متوالی polysilicon ، si3n4 و sio2 روی زیر لایه سیلیکونی به روش lpcvd و مشخصه یابی لایه ها

لایه نشانی متوالی لایه های فوق نازک نانومتری ترکیبات سیلیکونی نیترید سیلیسیم، پلی سیلیکون و دی اکسید سیلیسیم به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین (lpcvd) و بررسی خواص لایه ها، سینتیک و ترمودینامیک تشکیل آنها هدف نهایی این پروژه کارشناسی ارشد است. مواد اولیه مورد استفاده درلایه نشانی ها عبارتند از تری کلرو سیلان (tcs) ، دی کلرو سیلان (dcs) ، سیلان(sih4) ، نیتروژن(n2) ، اکسیژن (o2) و آمونیاک (nh3) . لایه نشانی ها در خلا بالا و در راکتور تحقیقاتی لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین با کوره لوله ای دیواره داغ سه منطقه ای از جنس کوآرتز انجام شده است. نوآوری پژوهش در ایجاد رادیکالهای آزاد از مواد اولیه گازی بوسیله ی پیشگرم گازهای اولیه و عبور دادن آنها از کوره لوله ای دیواره داغ با المنت تک منطقه ای حاوی کاتالیزور پلاتین، ایریدیوم، آلومینا (pt-ir/al2o3) و بررسی اثر رادیکالسازی و پیشگرم گازهای اولیه بر سینتیک رشد و کیفیت لایه های نهایی است. در انتها خواص و مشخصات لایه ها با روش های مختلف میکروسکوپی و طیف نگاری شامل میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) ، بیضی سنجی ، طیف نگاری تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir) ، طیف نگاری فوتو الکترون طیف ایکس (xps) و ثبت پروفایل شیمیایی عمقی به کمک طیف نگاری الکترون اوژه (aes) اندازه گیری و بررسی شده است.